Czochralski method used crucible 1

Autor:

No machine-readable author provided. Twisp assumed (based on copyright claims).

Shortlink:

https://czwiki.cz/b/2c292

Zdroj:

Wikimedia Commons

Formát:

1536 x 2048 Pixel (926703 Bytes)

Popis:

Title: Crucible used in Czochralski method

• Desc: This crucible was used to pull a silicon crystal by Czochralski method. Generally, the crucible breaks at the end of the process. Some amount of silicon rests always on the bottom after the process. We can also observe a color modification of the crucible and a texture on the crucible walls.
• Author: Twisp
• Date: 25.08.2005

Licence:

Public domain

Credit:

No machine-readable source provided. Own work assumed (based on copyright claims).

Sdílet obrázek:

         

Více informací o licenci na obrázek naleznete zde. Poslední aktualizace: Sun, 26 Feb 2023 05:28:05 GMT

Relevantní obrázky

Relevantní články

Jako Czochralského metoda se označuje jedna z technologií růstu syntetických monokrystalů. Výsledným produktem je monokrystal o přesně definované krystalografické orientaci s velmi pravidelnou krystalickou mřížkou. Nejčastěji se jedná o monokrystaly křemíku, germania nebo arsenidu gallitého. Czochralského metoda stojí téměř na počátku výroby polovodičových integrovaných obvodů, se kterými se lze setkat v oblastech výpočetní techniky, mobilních telefonů a u mnoha dalších elektronických zařízení. Základní princip výroby křemíkového monokrystalu Czochralského metodou spočívá ve vzniku taveniny vysoce čistého polykrystalického křemíku a v následném tažení monokrystalu z této taveniny pomocí zárodku o přesně stanovené krystalografické orientaci v Czochralského tažičce. Mezi nejdůležitější požadavky výroby patří bezdislokační růst monokrystalů, kterého lze docílit vysokou čistotou vstupních surovin a prostředí. .. pokračovat ve čtení