IGBT 3300V 1200A Mitsubishi
Autor:
User:ArséniureDeGallium (2005)
Přisuzování:
Obrázek je označen jako „Vyžadováno uvedení zdroje“ (Attribution Required), ale nebyly uvedeny žádné informace o přiřazení. Při použití šablony MediaWiki pro licence CC-BY byl pravděpodobně parametr atribuce vynechán. Autoři zde mohou najít příklad pro správné použití šablon.
Shortlink:
Zdroj:
Formát:
525 x 371 Pixel (114159 Bytes)
Popis:
IGBT 3300V/1200A - Mitsubishi reference CM1200HC-66H
Komentář k Licence:
![]() |
Tento dokument smí být kopírován, šířen nebo upravován podle podmínek Svobodné licence GNU pro dokumenty verze 1.2 nebo libovolné vyšší verze publikované nadací Free Software Foundation. Dokument nemá neměnné části ani texty na předním či zadním přebalu. Kopie textu licence je k dispozici v oddíle nazvaném GNU Free Documentation License. |
![]() ![]() ![]() |
Tento soubor podléhá licenci Creative Commons Uveďte autora-Zachovejte licenci 3.0 Unported. | |
| ||
Tato licenční šablona byla k tomuto souboru přidána v rámci změny licencování. |
Licence:
Credit:
Vlastní dílo
Relevantní články
IGBTBipolární tranzistor s izolovaným hradlem je druh tranzistorů, který je zkonstruován pro velký rozsah spínaných výkonů a vysokou pulzní frekvenci. IGBT je integrovaná kombinace unipolární a bipolární součástky. Čip tranzistoru má hradlo izolované tenkou oxidovou vrstvou stejně, jako výkonový MOSFET. Na kolektorové straně je vytvořen PN přechod, který injektuje minoritní nosiče do kanálu, když je IGBT sepnut. To výrazně snižuje úbytek napětí a tím i ztrátový výkon v sepnutém stavu. .. pokračovat ve čtení