NPN BJT (Planar) Cross-section


Autor:
Formát:
300 x 175 Pixel (9477 Bytes)
Popis:
A schematic cross section of a planar NPN BJT, showing the three differently doped silicon regions.
Komentář k Licence:
Public domain Já, autor tohoto díla, jej tímto uvolňuji jako volné dílo, a to celosvětově.
V některých zemích to není podle zákona možné; v takovém případě:
Poskytuji komukoli právo užívat toto dílo za libovolným účelem, a to bezpodmínečně s výjimkou podmínek vyžadovaných zákonem.
Licence:
Public domain
Credit:
Vlastní dílo
Sdílet obrázek:
Facebook   Twitter   Pinterest   WhatsApp   Telegram   E-Mail
Více informací o licenci na obrázek naleznete zde. Poslední aktualizace: Mon, 11 Mar 2024 14:49:35 GMT

Relevantní obrázky


Relevantní články

Bipolární tranzistor

Bipolární tranzistor je druh tranzistoru. Jde o elektronickou součástku tvořenou třemi oblastmi polovodiče s různým typem vodivosti v uspořádání NPN nebo PNP, které vytvářejí dvojici přechodů PN. Prostřední oblast se nazývá báze (B), krajní emitor (E) a kolektor. Ke každé z oblastí je zapojen vývod. Při vhodném zapojení je velikost elektrického proudu tekoucího mezi emitorem a kolektorem řízena malými změnami proudu tekoucího mezi bází a emitorem. Bipolární tranzistory se používají jako zesilovače, spínače a invertory. Vyrábějí se jako samostatné součástky nebo jako prvky integrovaných obvodů. Ve složitých integrovaných obvodech však převládá používání unipolárních tranzistorů. .. pokračovat ve čtení