TO-5

Tranzistor v pouzdře TO-5 s vývody o délce 25 mm.
Chladiče ve tvaru ozubeného kola pro pouzdra TO-5.

TO-5 je v elektronice označení pro standardizované kovové pouzdro používané pro tranzistory a některé integrované obvody. TO znamená transistor outline a odkazuje se na řadu technických výkresů organizace JEDEC.[1] V pouzdře TO-5 byly první komerční křemíkové tranzistory, 2N696 a 2N697 společnosti Fairchild Semiconductor.[2]

Konstrukce a orientace

Výstupek (klíč) na základně pouzdra je situován 45° od vývodu 1, kterým je obvykle emitor. Typické pouzdro TO-5 má průměr základny 8,9 mm (0,35 in), průměr pouzdra 8,1 mm (0,32 in), výšku pouzdra 6,3 mm (0,25 in).[1] Vývody jsou od pouzdra izolovány samostatnými skleněno-kovovými průchodkami nebo společným zalitím z pryskyřice. Jeden z vývodů je někdy propojen s kovovým pouzdrem.

Varianty

Několik variant původního pouzdra TO-5 má stejné rozměry, ale liší se počtem a délkou vývodů. TO-5 a TO-39 se často, ale ne zcela správně, v katalozích výrobců používá jako synonyma pro libovolné pouzdro se stejnými rozměry jako TO-5 bez ohledu na počet vývodů, nebo dokonce pro libovolné pouzdro s průměrem jako TO-5 bez ohledu na výšku pouzdra a počet vývodů.[3] Jiné varianty (kromě TO-33 a TO-42) mají v porovnání s TO-5 minimální délku vývodů zmenšenou z 38,1 mm (1,50 in) na 12,7 mm (0,50 in), což pro osazování plošných spojů stačí a vede ke snížení ceny, zatímco delší vývody byly potřebné pro montáž mezi spojovací body. Vývody délky 25,4 mm (1,00 in) a 19,05 mm (0,750 in) jsou docela běžné, ale nebyly organizací JEDEC samostatně standardizované. Existují varianty s 2 až 12 vývody. Vývody jsou rozmístěny na kružnici o průměru 5,08 mm (0,200 in) (kromě TO-96, TO-97, TO-100 a TO-101). Před zavedením pouzder Dual in-line v roce 1965 byly integrované obvody většinou pouzdřeny do kovových pouzder, které byly variantami pouzdra TO-5 s více než 3 vývody.[4]

TO-39 / TO-9 / TO-16 / TO-42

Pouzdra TO-39, TO-9, a TO-16 mají 3 vývody a jak bylo uvedeno výše, od TO-5 se liší délkou vývodů.[5] Pouzdra TO-9 a TO-16 mimoto nemají klíč.[6] Pouzdro TO-42 je téměř identické s pouzdrem TO-5 (včetně délky vývodů) ale má čtyři výstupky na spodní části základny, které udržují základnu asi 0,5 mm nad deskou plošných spojů.[7] Případně označení TO-16 a TO-42 nebyla skutečně používána.[8]

TO-12 / TO-33

Odporový optočlen VTL2C1 v pouzdře TO-33

Pouzdra TO-12 a TO-33 mají 4 vývody.[9] TO-33 má vývody délky 38,1 mm (1,50 in)[10] jako TO-5, zatímco TO-12 má vývody délky 12,7 mm (0,50 in). U tranzistorů je čtvrtý vývod typicky spojen s kovovým pouzdrem jako prostředek elektromagnetického stínění pro vysokofrekvenční aplikace.

TO-75

Pouzdro TO-75 má 6 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán).[11] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 60°.

TO-76 / TO-77

Integrovaný stabilizátor napětí (Tesla MAA723) v pouzdře TO-76.

TO-76 a TO-77 pouzdra mají 8 vývodů (až tři z nich mohou být vynechány).[12] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 45°. Pouzdro TO-77 se odlišuje od pouzdra TO-76 pouze tím, že spodní část pouzdra TO-77 může ležet přímo na desce plošných spojů zatímco pouzdro TO-76 vyžaduje vzdálenost do 1,02 mm (0,040 in) mezi deskou plošných spojů a pouzdrem.[13]

TO-78 / TO-79 / TO-80 / TO-99

Integrovaný vzorkovací zesilovač (Tesla MAC198) v pouzdře se sníženou výškou TO-99.

TO-78,[14] TO-79,[15] TO-80,[16] a TO-99[17] pouzdra mají 8 vývodů (až tři z nich mohou být vynechány). Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 45°. Tato pouzdra se liší od jiných variant výškou pouzdra. Místo 6,3 mm (0,25 in) mají výšku pouze 4,45 mm (0,175 in) pro TO-78 / TO-99, 3,81 mm (0,150 in) pro TO-79, a 2,41 mm (0,095 in) pro TO-80. Pouzdro TO-78 se odlišuje od pouzdra TO-99 pouze tím, že spodní část pouzdra TO-78 může ležet přímo na desce plošných spojů zatímco pouzdro TO-99 vyžaduje vzdálenost až 1,02 mm (0,040 in) mezi deskou plošných spojů a pouzdrem.

TO-74

Pouzdro TO-74 má 10 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán).[18] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 36°.

TO-96 / TO-97 / TO-100

TO-96,[19] TO-97,[20] a TO-100[21] pouzdra mají 10 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán). Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 36°. Tato pouzdra měla průměr kružnice vývodů zvětšený z 5,08 mm (0,200 in) na 5,84 mm (0,230 in). To umožnilo nepatrně zvětšit plochu čipu v pouzdře nezměněného průměru. TO-96 má standardní výšku pouzdra 6,3 mm (0,25 in), zatímco TO-100 a TO-97 mají výšky pouzdra snížené na 4,45 mm (0,175 in) (TO-78) a 3,81 mm (0,150 in) (TO-79).

TO-73

Pouzdro TO-73 má 12 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán).[22] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 30°.

TO-101

Pouzdro TO-101 má 12 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán).[23] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 30°. Pro tento pouzdro průměr kružnice vývodů zvětšený z 5,08 mm (0,200 in) na 5,84 mm (0,230 in). To umožňuje nepatrně zvětšit plochu čipu v pouzdře nezměněného průměru. TO-101 má zmenšenou výšku pouzdra 4,45 mm (0,175 in) (jako TO-78).

TO-205

Integrovaný obvod reference napětí (National Semiconductor LH0070) v pouzdře TO-205-AF

TO-205 má nahradit předchozí definice pouzder s vývody uspořádanými do kružnice s průměrem 5,08 mm (0,200 in).[24][25] Různá pouzdra jsou nyní definována jako varianty pouzdra TO-205: TO-5 je přejmenované na TO-205-AA, TO-12 na TO-205-AB, TO-33 na TO-205-AC, TO-39 na TO-205-AD. Nové pouzdro se 3 vývody a výškou pouzdra 4,32 mm (0,170 in) (podobné TO-78 / TO-99) je přidáno jako TO-205-AF.

Národní Standardy

Standardizační organizaceNormaOznačení pro
TO-5TO-12TO-33TO-39TO-77
JEDECJEP95[25]TO-205-AATO-205-ABTO-205-ACTO-205-AD
IECIEC 60191[pozn. 1][26]C4/B4AC4/B6CC4/B6AC4/B4CC4/B7C
DINDIN 41873[27][26]5A35C45C35C8
EIAJ / JEITAED-7500A[pozn. 1][28]TC5/TB-5ATC5/TB-14CTC5/TB-14ATC5/TB-5CTC5/TB-15C
British StandardsBS 3934[pozn. 1][29][26]TAK-3/SB3-3ATAK-3/SB4-1BTAK-3/SB3-3BTAK-3/SB8-1B
GosstandartGOST 18472—88[30]KT-2-12[pozn. 2]KT-2-7[pozn. 3]
RosstandartGOST R 57439[31]
Kombinat Mikroelektronik ErfurtTGL 11811[32]B3/15-3a
TGL 26713/07[32]F1BC3

Odkazy

Poznámky

  1. a b c Tyto normy mají zvláštní výkresy pro pouzdro a základnu.
  2. rusky КТ-2-12
  3. rusky КТ-2-7

Reference

V tomto článku byl použit překlad textu z článku TO-5 na anglické Wikipedii.

  1. a b JEDEC TO-5 package specification [online]. JEDEC. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2017-06-18. 
  2. Fairchild 2N697 [online]. Transistor Museum [cit. 2021-07-16]. Dostupné online. 
  3. Metal Can Packages [online]. National Semiconductor / Texas Instruments, August 1999 [cit. 2021-06-21]. S. 7–14. Dostupné online. 
  4. 1965: Package is the first to accommodate system design considerations [online]. Computer History Museum [cit. 2021-06-21]. Dostupné online. 
  5. TO-39 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  6. TO-9 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  7. ...nesplňuje minimální kritérium ...pro registraci. TO-42 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05. 
  8. ...nesplňuje minimální kritérium ...pro registraci. TO-16 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  9. TO-12 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05. 
  10. TO-33 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-04. 
  11. TO-75 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05. 
  12. TO-76 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-04. 
  13. TO-77 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05. 
  14. TO-78 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05. 
  15. TO-79 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  16. TO-80 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05. 
  17. TO-99 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  18. TO-74 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  19. TO-96 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  20. TO-97 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05. 
  21. TO-100 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  22. TO-73 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  23. TO-101 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10. 
  24. JEDEC Publication No. 95. [s.l.]: JEDEC, October 2010. Dostupné online. Kapitola Index by Device Type of Registered Transistor Outlines (TO). 
  25. a b JEDEC Publication No. 95. [s.l.]: JEDEC, November 1982. Dostupné online. Kapitola Header Family 0.200 Pin Circle, s. 178–181. 
  26. a b c , 1978. Semiconductors [online]. Pro Electron, 1978 [cit. 2021-06-17]. S. 215–219. Dostupné online. 
  27. Semiconductor Databook [online]. Heilbronn: AEG-Telefunken [cit. 2021-08-20]. S. 15. Dostupné online. 
  28. , 1996. EIAJ ED-7500A Standards for the Dimensions of Semiconductor Devices [online]. JEITA, 1996 [cit. 2021-06-14]. Dostupné online. 
  29. , 1968. Semiconductor and Photoelectric Devices [online]. Mullard, 1968 [cit. 2021-06-14]. S. 457. Dostupné online. 
  30. , 1988. ГОСТ 18472—88 ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ - Основные размеры [online]. Rosstandart, 1988 [cit. 2021-06-17]. S. 37–38. Dostupné online. (rusky) 
  31. , 2017. ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ - Основные размеры [online]. Rosstandart, 2017 [cit. 2021-06-17]. S. 45. Dostupné online. (rusky) 
  32. a b TGL 26713/07: Gehäuse für Halbleiterbauelemente - Bauform F [online]. Leipzig: Verlag für Standardisierung, June 1988 [cit. 2021-06-15]. Dostupné online. (německy) 

Externí odkazy

Média použitá na této stránce

TO-5 Heatsinks.jpg
Autor: Tpdwkouaa, Licence: CC BY-SA 4.0
Pair of gear shaped heatsinks for TO-5 package transistors
Perkin Elmer VTL2C1 cm.jpg
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
Opto-isolator with LED input and photo-resistor output, TO-33 package (similar to TO-5 but with 4 leads); scale in centimeters; operating temperature -40...+75 °C
SF122C HFO.jpg
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
Silicon NPN RF transistor SF122C (30V / 100mA / 600mW; fT min. 60MHz), manufactured by Halbleiterwerk Frankfurt/Oder in Apr 1977 (date code I4)
Tesla MAC198.jpg
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
MAC198 Sample-and-hold integrated circuit; other markings: "W80" (date code W8 - manufactured Aug 1988)
NatSemi LH0070.jpg
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
10.00V voltage reference hybrid integrated circuit.[1] The datasheet labels the package TO-5 while it is actually TO-205-AF (a combination of a TO-39 base and a TO-78 cap).
Tesla MAA723.jpg
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
MAA723 voltage regulator integrated circuit; other markings: "MC0" (date code MC - manufactured Dec 1982)