TO-5
TO-5 je v elektronice označení pro standardizované kovové pouzdro používané pro tranzistory a některé integrované obvody. TO znamená transistor outline a odkazuje se na řadu technických výkresů organizace JEDEC.[1] V pouzdře TO-5 byly první komerční křemíkové tranzistory, 2N696 a 2N697 společnosti Fairchild Semiconductor.[2]
Konstrukce a orientace
Výstupek (klíč) na základně pouzdra je situován 45° od vývodu 1, kterým je obvykle emitor. Typické pouzdro TO-5 má průměr základny 8,9 mm (0,35 in), průměr pouzdra 8,1 mm (0,32 in), výšku pouzdra 6,3 mm (0,25 in).[1] Vývody jsou od pouzdra izolovány samostatnými skleněno-kovovými průchodkami nebo společným zalitím z pryskyřice. Jeden z vývodů je někdy propojen s kovovým pouzdrem.
Varianty
Několik variant původního pouzdra TO-5 má stejné rozměry, ale liší se počtem a délkou vývodů. TO-5 a TO-39 se často, ale ne zcela správně, v katalozích výrobců používá jako synonyma pro libovolné pouzdro se stejnými rozměry jako TO-5 bez ohledu na počet vývodů, nebo dokonce pro libovolné pouzdro s průměrem jako TO-5 bez ohledu na výšku pouzdra a počet vývodů.[3] Jiné varianty (kromě TO-33 a TO-42) mají v porovnání s TO-5 minimální délku vývodů zmenšenou z 38,1 mm (1,50 in) na 12,7 mm (0,50 in), což pro osazování plošných spojů stačí a vede ke snížení ceny, zatímco delší vývody byly potřebné pro montáž mezi spojovací body. Vývody délky 25,4 mm (1,00 in) a 19,05 mm (0,750 in) jsou docela běžné, ale nebyly organizací JEDEC samostatně standardizované. Existují varianty s 2 až 12 vývody. Vývody jsou rozmístěny na kružnici o průměru 5,08 mm (0,200 in) (kromě TO-96, TO-97, TO-100 a TO-101). Před zavedením pouzder Dual in-line v roce 1965 byly integrované obvody většinou pouzdřeny do kovových pouzder, které byly variantami pouzdra TO-5 s více než 3 vývody.[4]
TO-39 / TO-9 / TO-16 / TO-42
Pouzdra TO-39, TO-9, a TO-16 mají 3 vývody a jak bylo uvedeno výše, od TO-5 se liší délkou vývodů.[5] Pouzdra TO-9 a TO-16 mimoto nemají klíč.[6] Pouzdro TO-42 je téměř identické s pouzdrem TO-5 (včetně délky vývodů) ale má čtyři výstupky na spodní části základny, které udržují základnu asi 0,5 mm nad deskou plošných spojů.[7] Případně označení TO-16 a TO-42 nebyla skutečně používána.[8]
TO-12 / TO-33
Pouzdra TO-12 a TO-33 mají 4 vývody.[9] TO-33 má vývody délky 38,1 mm (1,50 in)[10] jako TO-5, zatímco TO-12 má vývody délky 12,7 mm (0,50 in). U tranzistorů je čtvrtý vývod typicky spojen s kovovým pouzdrem jako prostředek elektromagnetického stínění pro vysokofrekvenční aplikace.
TO-75
Pouzdro TO-75 má 6 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán).[11] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 60°.
TO-76 / TO-77
TO-76 a TO-77 pouzdra mají 8 vývodů (až tři z nich mohou být vynechány).[12] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 45°. Pouzdro TO-77 se odlišuje od pouzdra TO-76 pouze tím, že spodní část pouzdra TO-77 může ležet přímo na desce plošných spojů zatímco pouzdro TO-76 vyžaduje vzdálenost do 1,02 mm (0,040 in) mezi deskou plošných spojů a pouzdrem.[13]
TO-78 / TO-79 / TO-80 / TO-99
TO-78,[14] TO-79,[15] TO-80,[16] a TO-99[17] pouzdra mají 8 vývodů (až tři z nich mohou být vynechány). Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 45°. Tato pouzdra se liší od jiných variant výškou pouzdra. Místo 6,3 mm (0,25 in) mají výšku pouze 4,45 mm (0,175 in) pro TO-78 / TO-99, 3,81 mm (0,150 in) pro TO-79, a 2,41 mm (0,095 in) pro TO-80. Pouzdro TO-78 se odlišuje od pouzdra TO-99 pouze tím, že spodní část pouzdra TO-78 může ležet přímo na desce plošných spojů zatímco pouzdro TO-99 vyžaduje vzdálenost až 1,02 mm (0,040 in) mezi deskou plošných spojů a pouzdrem.
TO-74
Pouzdro TO-74 má 10 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán).[18] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 36°.
TO-96 / TO-97 / TO-100
TO-96,[19] TO-97,[20] a TO-100[21] pouzdra mají 10 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán). Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 36°. Tato pouzdra měla průměr kružnice vývodů zvětšený z 5,08 mm (0,200 in) na 5,84 mm (0,230 in). To umožnilo nepatrně zvětšit plochu čipu v pouzdře nezměněného průměru. TO-96 má standardní výšku pouzdra 6,3 mm (0,25 in), zatímco TO-100 a TO-97 mají výšky pouzdra snížené na 4,45 mm (0,175 in) (TO-78) a 3,81 mm (0,150 in) (TO-79).
TO-73
Pouzdro TO-73 má 12 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán).[22] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 30°.
TO-101
Pouzdro TO-101 má 12 vývodů (nejvýše jeden z nich může být vynechán).[23] Minimální úhel mezi dvěma sousedními vývody je 30°. Pro tento pouzdro průměr kružnice vývodů zvětšený z 5,08 mm (0,200 in) na 5,84 mm (0,230 in). To umožňuje nepatrně zvětšit plochu čipu v pouzdře nezměněného průměru. TO-101 má zmenšenou výšku pouzdra 4,45 mm (0,175 in) (jako TO-78).
TO-205
TO-205 má nahradit předchozí definice pouzder s vývody uspořádanými do kružnice s průměrem 5,08 mm (0,200 in).[24][25] Různá pouzdra jsou nyní definována jako varianty pouzdra TO-205: TO-5 je přejmenované na TO-205-AA, TO-12 na TO-205-AB, TO-33 na TO-205-AC, TO-39 na TO-205-AD. Nové pouzdro se 3 vývody a výškou pouzdra 4,32 mm (0,170 in) (podobné TO-78 / TO-99) je přidáno jako TO-205-AF.
Národní Standardy
Standardizační organizace | Norma | Označení pro | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO-5 | TO-12 | TO-33 | TO-39 | TO-77 | ||
JEDEC | JEP95[25] | TO-205-AA | TO-205-AB | TO-205-AC | TO-205-AD | — |
IEC | IEC 60191[pozn. 1][26] | C4/B4A | C4/B6C | C4/B6A | C4/B4C | C4/B7C |
DIN | DIN 41873[27][26] | 5A3 | 5C4 | 5C3 | 5C8 | |
EIAJ / JEITA | ED-7500A[pozn. 1][28] | TC5/TB-5A | TC5/TB-14C | TC5/TB-14A | TC5/TB-5C | TC5/TB-15C |
British Standards | BS 3934[pozn. 1][29][26] | TAK-3/SB3-3A | TAK-3/SB4-1B | TAK-3/SB3-3B | TAK-3/SB8-1B | |
Gosstandart | GOST 18472—88[30] | — | KT-2-12[pozn. 2] | — | KT-2-7[pozn. 3] | — |
Rosstandart | GOST R 57439[31] | |||||
Kombinat Mikroelektronik Erfurt | TGL 11811[32] | — | — | — | B3/15-3a | — |
TGL 26713/07[32] | — | — | — | F1BC3 | — |
Odkazy
Poznámky
Reference
V tomto článku byl použit překlad textu z článku TO-5 na anglické Wikipedii.
- ↑ a b JEDEC TO-5 package specification [online]. JEDEC. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2017-06-18.
- ↑ Fairchild 2N697 [online]. Transistor Museum [cit. 2021-07-16]. Dostupné online.
- ↑ Metal Can Packages [online]. National Semiconductor / Texas Instruments, August 1999 [cit. 2021-06-21]. S. 7–14. Dostupné online.
- ↑ 1965: Package is the first to accommodate system design considerations [online]. Computer History Museum [cit. 2021-06-21]. Dostupné online.
- ↑ TO-39 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ TO-9 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ ...nesplňuje minimální kritérium ...pro registraci. TO-42 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05.
- ↑ ...nesplňuje minimální kritérium ...pro registraci. TO-16 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ TO-12 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05.
- ↑ TO-33 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-04.
- ↑ TO-75 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05.
- ↑ TO-76 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-04.
- ↑ TO-77 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05.
- ↑ TO-78 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05.
- ↑ TO-79 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ TO-80 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05.
- ↑ TO-99 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ TO-74 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ TO-96 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ TO-97 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-05.
- ↑ TO-100 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ TO-73 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ TO-101 [online]. JEDEC [cit. 2021-06-21]. Dostupné v archivu pořízeném z originálu dne 2016-04-10.
- ↑ JEDEC Publication No. 95. [s.l.]: JEDEC, October 2010. Dostupné online. Kapitola Index by Device Type of Registered Transistor Outlines (TO).
- ↑ a b JEDEC Publication No. 95. [s.l.]: JEDEC, November 1982. Dostupné online. Kapitola Header Family 0.200 Pin Circle, s. 178–181.
- ↑ a b c , 1978. Semiconductors [online]. Pro Electron, 1978 [cit. 2021-06-17]. S. 215–219. Dostupné online.
- ↑ Semiconductor Databook [online]. Heilbronn: AEG-Telefunken [cit. 2021-08-20]. S. 15. Dostupné online.
- ↑ , 1996. EIAJ ED-7500A Standards for the Dimensions of Semiconductor Devices [online]. JEITA, 1996 [cit. 2021-06-14]. Dostupné online.
- ↑ , 1968. Semiconductor and Photoelectric Devices [online]. Mullard, 1968 [cit. 2021-06-14]. S. 457. Dostupné online.
- ↑ , 1988. ГОСТ 18472—88 ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ - Основные размеры [online]. Rosstandart, 1988 [cit. 2021-06-17]. S. 37–38. Dostupné online. (rusky)
- ↑ , 2017. ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ - Основные размеры [online]. Rosstandart, 2017 [cit. 2021-06-17]. S. 45. Dostupné online. (rusky)
- ↑ a b TGL 26713/07: Gehäuse für Halbleiterbauelemente - Bauform F [online]. Leipzig: Verlag für Standardisierung, June 1988 [cit. 2021-06-15]. Dostupné online. (německy)
Externí odkazy
- Obrázky, zvuky či videa k tématu TO-5 na Wikimedia Commons
- TO-5 package z EESemi.com
Média použitá na této stránce
Autor: Tpdwkouaa, Licence: CC BY-SA 4.0
Pair of gear shaped heatsinks for TO-5 package transistors
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
Opto-isolator with LED input and photo-resistor output, TO-33 package (similar to TO-5 but with 4 leads); scale in centimeters; operating temperature -40...+75 °C
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
Silicon NPN RF transistor SF122C (30V / 100mA / 600mW; fT min. 60MHz), manufactured by Halbleiterwerk Frankfurt/Oder in Apr 1977 (date code I4)
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
MAC198 Sample-and-hold integrated circuit; other markings: "W80" (date code W8 - manufactured Aug 1988)
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
10.00V voltage reference hybrid integrated circuit.[1] The datasheet labels the package TO-5 while it is actually TO-205-AF (a combination of a TO-39 base and a TO-78 cap).
Autor: Drahtlos, Licence: CC BY-SA 4.0
MAA723 voltage regulator integrated circuit; other markings: "MC0" (date code MC - manufactured Dec 1982)